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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 12 ns |
| 其他特性： | TTL AND CMOS COMPATIBLE INTERFACE LEVELS | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.35 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61LV12816-12BI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-12BI | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-12K | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-12K | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-12KI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-12KI | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61LV12816-12LQ | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-12LQI | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-12T | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY |
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| IS61LV12816-12T | ICSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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