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IS43R32400D-6BL

更新时间： 2024-11-26 01:00:31

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
57页	1733K
描述
Four internal banks for concurrent operation

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IS43R32400D-6BL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.72
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

IS43R32400D-6BL 数据手册

IS43R32400D

4Mx32ꢀ

ꢀ

SEPTEMBERꢀ2011

128MbꢀDDRꢀSDRAM

FEATURES

DEVICEꢀOVERVIEW

ISSI’sꢀ128-MbitꢀDDRꢀSDRAMꢀachievesꢀhighꢀspeedꢀdataꢀ

transferꢀusingꢀpipelineꢀarchitectureꢀandꢀtwoꢀdataꢀwordꢀ

accessesꢀperꢀclockꢀcycle.ꢀTheꢀ134,217,728-bitꢀmemoryꢀ

arrayꢀisꢀinternallyꢀorganizedꢀasꢀfourꢀbanksꢀofꢀ32Mbꢀtoꢀ

allowꢀconcurrentꢀoperations.ꢀTheꢀpipelineꢀallowsꢀReadꢀ

andꢀWriteꢀburstꢀaccessesꢀtoꢀbeꢀvirtuallyꢀcontinuous,ꢀwithꢀ

theꢀoptionꢀtoꢀconcatenateꢀorꢀtruncateꢀtheꢀbursts.ꢀTheꢀ

programmableꢀfeaturesꢀofꢀburstꢀlength,ꢀburstꢀsequenceꢀ

andꢀCASꢀlatencyꢀenableꢀfurtherꢀadvantages.ꢀTheꢀ

deviceꢀisꢀavailableꢀinꢀ32-bitꢀdataꢀwordꢀsizeꢀInputꢀdataꢀisꢀ

registeredꢀonꢀtheꢀI/OꢀpinsꢀonꢀbothꢀedgesꢀofꢀDataꢀStrobeꢀ

signal(s),ꢀwhileꢀoutputꢀdataꢀisꢀreferencedꢀtoꢀbothꢀedgesꢀ

ofꢀDataꢀStrobeꢀandꢀbothꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀCommandsꢀareꢀ

registeredꢀonꢀtheꢀpositiveꢀedgesꢀofꢀCLK.ꢀ

•ꢀ Double-dataꢀrateꢀarchitecture;ꢀtwoꢀdataꢀtransfersꢀ

perꢀclockꢀcycle

•ꢀ Bidirectional,ꢀdataꢀstrobeꢀ(DQS)ꢀisꢀtransmitted/

receivedꢀwithꢀdata,ꢀtoꢀbeꢀusedꢀinꢀcapturingꢀdataꢀ

atꢀtheꢀreceiver

•ꢀ DQSꢀisꢀedge-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀREADsꢀandꢀ

centre-alignedꢀwithꢀdataꢀforꢀWRITEs

•ꢀ Differentialꢀclockꢀinputsꢀ(CKꢀandꢀCK)

•ꢀ DLLꢀalignsꢀDQꢀandꢀDQSꢀtransitionsꢀwithꢀCKꢀ

transitions

•ꢀ CommandsꢀenteredꢀonꢀeachꢀpositiveꢀCKꢀedge;ꢀ

dataꢀandꢀdataꢀmaskꢀreferencedꢀtoꢀbothꢀedgesꢀofꢀ

DQS

AnꢀAutoꢀRefreshꢀmodeꢀisꢀprovided,ꢀalongꢀwithꢀaꢀSelfꢀ

Refreshꢀmode.ꢀAllꢀI/OsꢀareꢀSSTL_2ꢀcompatible.

•ꢀ Fourꢀinternalꢀbanksꢀforꢀconcurrentꢀoperation

•ꢀ DataꢀMaskꢀforꢀwriteꢀdata.ꢀDMꢀmasksꢀwriteꢀdataꢀ

atꢀbothꢀrisingꢀandꢀfallingꢀedgesꢀofꢀdataꢀstrobe

ADDRESSꢀTABLE

•ꢀ BurstꢀLength:ꢀ2,ꢀ4ꢀandꢀ8

Parameter

4Mꢀxꢀ32

•ꢀ BurstꢀType:ꢀSequentialꢀandꢀInterleaveꢀmode

•ꢀ ProgrammableꢀCASꢀlatency:ꢀ2,ꢀ2.5,ꢀ3ꢀandꢀ4

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀandꢀSelfꢀRefreshꢀModes

•ꢀ AutoꢀPrecharge

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ ꢀ0.2Vꢀ(-5,ꢀ-6)

•ꢀ VDDꢀandꢀVDDQ:ꢀ2.5Vꢀ ꢀ0.125Vꢀ(-4)

•ꢀ SSTL_2ꢀcompatibleꢀI/O

Conﬁguration

1Mꢀxꢀ32ꢀxꢀ4ꢀbanks

BA0,ꢀBA1

BankꢀAddressꢀ

Pins

Autoprechargeꢀ

Pins

A8/AP

RowꢀAddresses

ColumnꢀAddress

RefreshꢀCount

4K(A0ꢀ–ꢀA11)

256(A0ꢀ–ꢀA7)

4Kꢀ/ꢀ32ms

OPTIONS

•ꢀ Conﬁguration(s):ꢀ4Mꢀx32

•ꢀ Package(s):ꢀ

ꢀ 144ꢀBallꢀBGAꢀ(x32)

KEYꢀTIMINGꢀPARAMETERS

SpeedꢀGradeꢀ

-4ꢀ

-5ꢀ

-6ꢀ

ꢀ Units

ꢀ MHz

•ꢀ Lead-freeꢀpackageꢀavailable

•ꢀ TemperatureꢀRange:ꢀ

ꢀ Commercialꢀ(0°Cꢀtoꢀ+70°C)

ꢀ Industrialꢀ(-40°Cꢀtoꢀ+85°C)

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ4ꢀ

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ3ꢀ

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2.5ꢀ

FckꢀMaxꢀCLꢀ=ꢀ2ꢀ

250ꢀ 200ꢀ 166ꢀ

200ꢀ 200ꢀ 166ꢀ

–ꢀ 166ꢀ 166ꢀ

–ꢀ 133ꢀ 133ꢀ

notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-

estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspeciﬁcationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀ

IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-

ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsigniﬁcantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ

unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:

a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;

b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand

c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances

Integrated Silicon Solution, Inc. ꢀ

Rev.ꢀ A

09/07/2011

12 3 4 5 6 7...57

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与IS43R32400D-6BL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS43R32400D-6BLI	ISSI	获取价格	Four internal banks for concurrent operation
IS43R32400E	ISSI	获取价格	Auto Refresh and Self Refresh Modes
IS43R32400E-5BL	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-
IS43R32400E-5BLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-
IS43R32400E-6BL	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-
IS43R32400E-6BLI	ISSI	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-205, FBGA-
IS43R32800	ISSI	获取价格	Auto refresh and Self refresh
IS43R32800-5BL	ISSI	获取价格	Auto refresh and Self refresh
IS43R32800-75BL	ISSI	获取价格	Auto refresh and Self refresh
IS43R32800B	ISSI	获取价格	Differential clock input

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