Datasheet > 存储 > DRAM> IS41C4100-35J

IS41C4100-35J

更新时间： 2024-02-07 22:14:48

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	145K
描述
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C4100-35J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP20/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS41C4100-35J 数据手册

IS41C4100

IS41LV4100

ISSI

EDO-PAGE-MODE READ-EARLY-WRITE CYCLE (Psuedo READ-MODIFY WRITE)

tRASP

tRP

RAS

tCSH

tPC

tRSH

tCAS

tCRP

tASR

tRCD

tCAS

tCP

tCAS

tCP

CAS

tAR

tACH

tRAL

tRAD

tASC

tCAH

tASC

tCAH

tASC

tCAH

tRAH

ADDRESS

Row

Column (A)

Column (B)

Column (N)

Row

tRCS

tRCH

tWCS

tWCH

tWHZ

tAA

tCPA

tCAC

tCOH

tRAC

tCAC

tDS

tDH

Open

I/O

Valid Data (A)

Valid Data (B)

DIN

tOE

Don't Care

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00A

09/10/01

1...13 14 151617 18 19

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与IS41C4100-35J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS41C4100-35T	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41C4100-60J	ISSI	获取价格	1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C4100-60JI	ISSI	获取价格	1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002	ICSI	获取价格	4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41C44002	ISSI	获取价格	4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002-50J	ISSI	获取价格	4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002-50JI	ISSI	获取价格	4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002-50T	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IS41C44002-50TI	ISSI	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24
IS41C44002-60J	ISSI	获取价格	4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE