是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | EDO PAGE | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.175 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4MX4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41C44002C-50TLI | ISSI |
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EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-24 | |
IS41C44004 | ISSI |
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4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C44004 | ICSI |
获取价格 |
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode | |
IS41C44004-50J | ISSI |
获取价格 |
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C44004-50JI | ISSI |
获取价格 |
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C44004-50T | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM | |
IS41C44004-50TI | ETC |
获取价格 |
x4 EDO Page Mode DRAM | |
IS41C44004-60J | ISSI |
获取价格 |
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C44004-60JI | ISSI |
获取价格 |
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C44004-60T | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-24 |