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IS41C44004-50J PDF预览

IS41C44004-50J

更新时间： 2024-01-16 02:27:01
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 159K
描述
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C44004-50J 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-24
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP24/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm

IS41C44004-50J 数据手册

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®
IS41C4400X  
IS41LV4400X SERIES  
4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
JUNE, 2001  
FEATURES  
DESCRIPTION  
•
Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle  
The ISSI 4400 Series is a 4,194,304 x 4-bit high-performance  
CMOS Dynamic Random Access Memory. These  
devices offer an accelerated cycle access called EDO  
Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 or 4096  
random accesses within a single row with access cycle  
time as short as 20 ns per 4-bit word.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval:  
– 2,048 cycles/32 ms  
– 4,096 cycles/64 ms  
• Refresh Mode: RAS-Only,  
These features make the 4400 Series ideally suited for  
high-bandwidth graphics, digital signal processing,  
high-performance computing systems, and peripheral  
applications.  
CAS-before-RAS (CBR), and Hidden  
• Single power supply:  
– 5V 10ꢀ or 3.3V 10ꢀ  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Industrial temperature range -40°C to 85°C  
The 4400 Series is packaged in a 24-pin 300-mil SOJ with  
JEDEC standard pinouts.  
KEY TIMING PARAMETERS  
PRODUCT SERIES OVERVIEW  
Parameter  
RASAccessTime(tRAC  
-50  
50  
13  
25  
20  
84  
-60  
60  
Unit  
ns  
Part No.  
Refresh  
2K  
Voltage  
5V 10ꢀ  
5V 10ꢀ  
3.3V 10ꢀ  
3.3V 10ꢀ  
)
)
IS41C44002  
IS41C44004  
IS41LV44002  
IS41LV44004  
CASAccessTime(tCAC  
15  
ns  
4K  
ColumnAddressAccessTime(tAA  
)
30  
ns  
2K  
EDO Page Mode Cycle Time (tPC  
)
25  
ns  
4K  
Read/WriteCycleTime(tRC  
)
104  
ns  
PIN CONFIGURATION  
24 Pin SOJ  
PIN DESCRIPTIONS  
A0-A11  
A0-A10  
I/O0-3  
WE  
Address Inputs (4K Refresh)  
Address Inputs (2K Refresh)  
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
VCC  
I/O0  
1
2
3
4
5
6
24  
23  
22  
21  
20  
19  
GND  
I/O3  
I/O2  
CAS  
OE  
I/O1  
WE  
RAS  
OE  
Output Enable  
*A11(NC)  
A9  
RAS  
CAS  
Vcc  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
A10  
A0  
7
18  
17  
16  
15  
14  
13  
A8  
8
A7  
A1  
9
A6  
A2  
10  
11  
12  
A5  
GND  
NC  
Ground  
A3  
A4  
VCC  
GND  
No Connection  
* A11 is NC for 2K Refresh devices.  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
Rev. D  
06/24/01  
1234567...19

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与IS41C44004-50J相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IS41C44004-50JI ISSI 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C44004-50T ETC x4 EDO Page Mode DRAM

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