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IS41C4100-35J

更新时间： 2024-01-24 06:43:33

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	145K
描述
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C4100-35J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP20/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS41C4100-35J 数据手册

IS41C4100

IS41LV4100

ISSI

READ CYCLE (With WE-Controlled Disable)

RAS

CSH

CRP

ASR

RCD

tCP

CAS

RAD

RAH

CAH

tASC

ASC

ADDRESS

Row

Column

RCS

RCH

tRCS

RAC

CAC

CLZ

WHZ

tCLZ

Open

Valid Data

I/O

tOD

Don't Care

RAS-ONLY REFRESH CYCLE (OE, WE = DON'T CARE)

RAS

tRP

RAS

CAS

CRP

RPC

ASR

tRAH

ADDRESS

I/O

Row

Open

Don't Care

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00A

09/10/01

1...14 15 161718 19

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