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IS41C4100-35J

更新时间： 2024-01-01 19:22:56

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	145K
描述
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C4100-35J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP20/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS41C4100-35J 数据手册

IS41C4100

IS41LV4100

ISSI

EDO-PAGE-MODE READ CYCLE

RASP

RAS

(1)

CSH

RSH

CRP

CAS,

tCP

RCD

CLCH

tCLCH

CAS

RAD

RAL

CAH

ASR

ASC

CAH

ASC

CAH

ASC

ADDRESS

Row

Column

Row

RAH

RRH

RCS

RCH

RAC

CAC

CLZ

CPA

CAC

CLZ

COH

OFF

Open

Valid Data

I/O

OEHC

tOE

OES

OEP

Don't Care

Note:

1. t^PCcan be measured from falling edge of CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both

measurements must meet the t^PCspecifications.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00A

09/10/01

1...10 11 121314 15 16...19

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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