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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.3 |
| 最长访问时间： | 150 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS27C512-15P | ISSI |
获取价格 |
Memory IC |
|
| IS27C512-15PI | ISSI |
获取价格 |
Memory IC |
|
| IS27C512-15PL | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IS27C512-15PLI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IS27C512-15T | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27C512-15TI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27C512-15W | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| IS27C512-15WI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IS27C512-90CW | ISSI |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
|
| IS27C512-90CWI | ISSI |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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