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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | ALSO WORKS WITH 5V VCC | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3/5 V | 编程电压： | 12.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.015 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS27DV256-15PLI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IS27DV256-15T | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27DV256-15W | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IS27DV256-90PL | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IS27DV256-90T | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27DV256-90TI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27HC010 | ISSI |
获取价格 |
131,072 x 8 HIGH-SPEED CMOS EPROM |
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| IS27HC010-25PL | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| IS27HC010-25T | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| IS27HC010-25W | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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