是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | ALSO WORKS WITH 5V VCC | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3/5 V | 编程电压: | 12.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.55 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS27DV256-15T | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27DV256-15W | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IS27DV256-90PL | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IS27DV256-90T | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27DV256-90TI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27HC010 | ISSI |
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131,072 x 8 HIGH-SPEED CMOS EPROM | |
IS27HC010-25PL | ETC |
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x8 EPROM | |
IS27HC010-25T | ETC |
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x8 EPROM | |
IS27HC010-25W | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
IS27HC010-30PL | ISSI |
获取价格 |
131,072 x 8 HIGH-SPEED CMOS EPROM |