是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | ALSO WORKS WITH 5V VCC |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3/5 V |
编程电压: | 12.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS27DV256-12TI | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27DV256-12W | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IS27DV256-15PL | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IS27DV256-15PLI | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IS27DV256-15T | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27DV256-15W | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IS27DV256-90PL | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IS27DV256-90T | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27DV256-90TI | ISSI |
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OTP ROM, 32KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 | |
IS27HC010 | ISSI |
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131,072 x 8 HIGH-SPEED CMOS EPROM |