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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.43 | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS27C512-15T | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27C512-15TI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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| IS27C512-15W | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| IS27C512-15WI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IS27C512-90CW | ISSI |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| IS27C512-90CWI | ISSI |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28 |
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| IS27C512-90PI | ISSI |
获取价格 |
Memory IC |
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| IS27C512-90PL | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| IS27C512-90PLI | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 90ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| IS27C512-90T | ISSI |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 90ns, CMOS, PDSO28, TSOP-28 |
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