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IRLR3717TRPBF

更新时间： 2024-10-14 14:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 269K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRLR3717TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：460 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：460 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR3717TRPBF 数据手册

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PD - 95776A  
IRLR3717PbF  
IRLU3717PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Frequency Synchronous Buck  
Converters for Computer Processor Power  
l High Frequency Isolated DC-DC  
Converters with Synchronous Rectification  
for Telecom and Industrial Use  
l Lead-Free  
VDSS RDS(on) max  
Qg  
21nC  
4.0m  
20V  
Benefits  
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Ultra-Low Gate Impedance  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D-Pak  
IRLR3717  
I-Pak  
IRLU3717  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
20  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
120  
I
I
I
@ TC = 25°C  
A
D
D
81  
@ TC = 100°C  
460  
89  
DM  
P
P
@TC = 25°C  
@TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
W
D
D
44  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.59  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 175  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.69  
50  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
°C/W  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Junction-to-Ambient  
110  
Notes  through ꢀ are on page 11  
www.irf.com  
1
12/08/04  
1234567...12

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IRLR3717TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR3717TRRPBF INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IRLR3915 INFINEON

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 		AUTOMOTIVE MOSFET
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLR3915TRHR INFINEON

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