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IRLR4343TRLPBF

更新时间： 2024-02-05 13:46:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 246K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 55V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR4343TRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.12其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：160 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A最大漏极电流 (ID)：26 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR4343TRLPBF 数据手册

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PD - 95851  
IRLR4343  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRLU4343  
IRLU4343-701  
Features  
l Advanced Process Technology  
Key Parameters  
l Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
l Low RDSON for Improved Efficiency  
l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved  
Efficiency  
VDS  
RDS(ON) typ. @ VGS = 10V  
DS(ON) typ. @ VGS = 4.5V  
55  
V
m:  
m:  
42  
R
57  
Qg typ.  
TJ max  
l Low Qrr for Better THD and Lower EMI  
l 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
28  
nC  
°C  
175  
l Repetitive Avalanche Capability for Robustness and  
Reliability  
l Multiple Package Options  
D
D-Pak  
IRLR4343  
I-Pak  
IRLU4343  
G
I-Pak Leadform 701  
IRLU4343-701  
S
Refer to page 10 for package outline  
Description  
This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery  
and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD  
and EMI. Additional features of this MosFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability.  
These features combine to make this MosFET a highly efficient, robust and reliable device for Class-D audio amplifier  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VDS  
55  
Drain-to-Source Voltage  
V
VGS  
±20  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current c  
Power Dissipation  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
26  
A
19  
80  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
79  
39  
W
Power Dissipation  
0.53  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 175  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Clamping Pressure h  
TSTG  
–––  
N
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.9  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
g
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted)  
gj  
°C/W  
Junction-to-Ambient (free air)  
g
110  
Notes  through Šare on page 10  
www.irf.com  
1
3/26/04  
1234567...11

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