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IRLR7821CTRRPBF

更新时间： 2024-02-25 06:16:47

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12页	319K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRLR7821CTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

IRLR7821CTRRPBF 数据手册

PD - 96056

IRLR7821CPbF

IRLU7821CPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

l Lead-Free

V_DSSR_DS(on)max

10nC

10m

30V

Benefits

l Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

IRLR7821CPbF

I-Pak

IRLU7821CPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Max.

Units

V_DS

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

260

@T_C= 25°C

@T_C= 100°C

Maximum Power Dissipation

37.5

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.50

-55 to + 175

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

2.0

Units

R_θ

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

Notes through ꢀ are on page 11

www.irf.com

10/2/06

12 3 4 5 6 7...12

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与IRLR7821CTRRPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRLR7821PBF	INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET	获取价格
IRLR7821PBF_15	INFINEON	Ultra-Low Gate Impedance	获取价格
IRLR7821PF	INFINEON	High Frequency Synchronous Buck	获取价格
IRLR7821TR	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRLR7821TRL	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRLR7821TRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格