Datasheet > IRLR7821CTRRPBF

IRLR7821CTRRPBF

更新时间： 2024-02-12 19:53:26

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
12页	319K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRLR7821CTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

IRLR7821CTRRPBF 数据手册

IRLR/U7821CPbF

10000

= 0V,

f = 1 MHZ

I = 12A

= 24V

= 16V

= C + C , C SHORTED

iss

gs gd ds

= C

rss

= C + C

oss

ds gd

1000

100

iss

oss

rss

100

Total Gate Charge (nC)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-Source Voltage

1000

100

1000

100

OPERATION IN THIS AREA

LIMITED BY R

(on)

100µsec

T = 175

1msec

T = 25

10msec

Tc = 25°C

Tj = 175°C

Single Pulse

= 0 V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

, Drain-to-Source Voltage (V)

100

,Source-to-Drain Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

www.irf.com

1 2 345 6 7...12

下载PDF

与IRLR7821CTRRPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRLR7821PBF	INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET	获取价格
IRLR7821PBF_15	INFINEON	Ultra-Low Gate Impedance	获取价格
IRLR7821PF	INFINEON	High Frequency Synchronous Buck	获取价格
IRLR7821TR	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRLR7821TRL	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRLR7821TRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格