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IRLR7821CTRRPBF

更新时间： 2024-02-27 22:51:12

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描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRLR7821CTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

IRLR7821CTRRPBF 数据手册

IRLR/U7821CPbF

Static @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

BV_DSS

∆Β

Drain-to-Source Breakdown Voltage

–––

V_GS= 0V, I_D= 250µA

∆

_DSS/ T_J

Breakdown Voltage Temp. Coefficient –––

––– mV/°C Reference to 25°C, I_D= 1mA

mΩ

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

–––

1.0

7.5

9.5

–––

-5.3

–––

V_GS= 10V, I_D= 15A

12.5

–––

_GS= 4.5V, I_D= 12A

_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage

∆

V_GS(th)

Gate Threshold Voltage Coefficient

Drain-to-Source Leakage Current

–––

––– mV/°C

I_DSS

1.0

150

100

-100

–––

µA

_DS= 24V, V_GS= 0V

_DS= 24V, V_GS= 0V, T_J= 125°C

_GS= 20V

I_GSS

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

_GS= -20V

gfs

Q_g

V_DS= 15V, I_D= 12A

–––

Q_gs1

Pre-Vth Gate-to-Source Charge

Post-Vth Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

2.0

1.2

2.5

4.3

3.7

8.5

–––

V_DS= 16V

Q_gs2

Q_gd

nC V_GS= 4.5V

I_D= 12A

Q_godr

Gate Charge Overdrive

See Fig. 16

Q_sw

Switch Charge (Q_gs2+ Q_gd)

Q_oss

t_d(on)

t_r

Output Charge

V_DS= 16V, V_GS= 0V

Turn-On Delay Time

Rise Time

V_DD= 15V, V_GS= 4.5V

I_D= 12A

4.2

t_d(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Fall Time

ns Clamped Inductive Load

3.2

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

––– 1030 –––

_GS= 0V

–––

360

120

–––

V_DS= 15V

ƒ = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

Parameter

Typ.

–––

Max.

Units

Single Pulse Avalanche Energy

E_AS

I_AR

230

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

7.5

Diode Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I_S

Continuous Source Current

–––

MOSFET symbol

(Body Diode)

Pulsed Source Current

showing the

integral reverse

I_SM

–––

260

(Body Diode)

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

–––

1.0

T = 25°C, I = 12A, V = 0V

J S GS

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Forward Turn-On Time

ns T = 25°C, I = 12A, V_DD= 15V

J F

Q_rr

t_on

di/dt = 100A/µs

Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)

www.irf.com

123 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRLR7821PBF	INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET	获取价格
IRLR7821PBF_15	INFINEON	Ultra-Low Gate Impedance	获取价格
IRLR7821PF	INFINEON	High Frequency Synchronous Buck	获取价格
IRLR7821TR	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRLR7821TRL	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRLR7821TRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格

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