IRLR7811W

更新时间： 2024-02-06 16:08:37

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SMPS MOSFET

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IRLR7811W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRLR7811W 数据手册

PD - 94492

IRLR7811W

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

30V

R_DS(on)max

Q_g

19nC

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification

for Telecom and Industrial Use

10.5mΩ

Benefits

l Very Low RDS(on) at 4.5V V_GS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D-Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

260

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_A= 100°C

Power Dissipation

Power Dissipation*

1.5

W/°C

Linear Derating Factor

0.48

V_GS

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 12

Operating Junction and

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

–––

2.1

Junction-to-Ambient (PCB mount)*

Junction-to-Ambient

°C/W

110

Notes through are on page 9

www.irf.com

06/10/02

12 3 4 5 6 7...9

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