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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLF110 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
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| IRLF120 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRLF120PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLF120SCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLF130 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
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| IRLF230 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTOR |
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| IRLF230PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLG5AB300X200X0.5 | TDK |
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Magnetic Sheets for RFID Flexield |
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| IRLH5030 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRLH5030PBF | INFINEON |
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Secondary Side Synchronous Rectification |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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