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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 64 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 63 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL640STRL | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL640STRLPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL640STRR | VISHAY |
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暂无描述 |
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| IRL640STRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL640SU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL641 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL6903 | ETC |
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| IRL6903L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
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| IRL6903S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
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| IRL7472L1 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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