5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.14 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 150 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 600 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL7833LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRL7833PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRL7833S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRL7833SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRL7N1404 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
|
| IRL7NJ3802 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
|
| IRL7Y1905C | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) 50V, N-CHANNEL |
|
| IRL7YS1404CM | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO-257AA) 40V, N-CHANNEL |
|
| IRL80 | INFINEON |
获取价格 |
GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter |
|
| IRL801 | RECTRON |
获取价格 |
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
