IRL3803STRRPBF

更新时间： 2024-11-19 12:04:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Advanced Process Technology

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IRL3803STRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	610 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	140 A
最大漏极电流 (ID)：	140 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	470 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD-95101A

IRL3803SPbF

IRL3803LPbF

Lead-Free

www.irf.com

12/9/04

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRL3803STRLPBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803SPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL3803S	INFINEON	功能相似	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=1

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL3803V	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VL	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VLTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803VLTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803VPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VSTRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL3803VSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me