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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 610 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 140 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 470 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRL3803STRLPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL3803SPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL3803STRRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Advanced Process Technology |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL3803SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL3803STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL3803STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL3803STRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRL3803V | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRL3803VL | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRL3803VLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRL3803VLTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL3803VLTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL3803VPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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