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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.06 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 43 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 45 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL510-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL510-009PBF | INFINEON |
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5.6A, 100V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
|
| IRL510-018 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL510A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRL510A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL510L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRL510LPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL510PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRL510PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRL510S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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