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IRL510

更新时间： 2024-10-14 05:39:31
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1875K
描述
Power MOSFET

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IRL510 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.06其他特性：FAST SWITCHING, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 A
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：0.54 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：43 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRL510 数据手册

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IRL510, SiHL510  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Logic-Level Gate Drive  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 5.0 V  
0.54  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
6.1  
2.6  
3.3  
COMPLIANT  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Configuration  
Single  
• Ease of Paralleling  
D
• Lead (Pb)-free Available  
TO-220  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRL510PbF  
SiHL510-E3  
IRL510  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHL510  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
100  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
10  
T
C = 25 °C  
5.6  
Continuous Drain Current  
V
GS at 5 V  
ID  
A
TC =100°C  
4.0  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
18  
Linear Derating Factor  
0.29  
100  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
5.6  
EAR  
4.3  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
43  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
5.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 4.8 mH, RG = 25 Ω, IAS = 5.8 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91297  
S-Pending-Rev. A, 31-Jan-08  
www.vishay.com  
1
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与IRL510相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRL510-009 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL510-009PBF INFINEON

获取价格

 		5.6A, 100V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRL510-018 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL510A FAIRCHILD

获取价格

 		Advanced Power MOSFET
IRL510A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL510L VISHAY

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IRL510LPBF INFINEON

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IRL510PBF INFINEON

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 		HEXFET POWER MOSFET
IRL510S VISHAY

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