IRL3803SPBF

更新时间： 2024-11-19 04:23:07

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IRL3803SPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	610 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	140 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	470 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PD-95101A

IRL3803SPbF

IRL3803LPbF

Lead-Free

www.irf.com

12/9/04

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRL3803STRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803S	INFINEON	类似代替	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.006ohm, Id=1
FDB8896	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL3803STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803STRRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRL3803V	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VL	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VLTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803VLTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRL3803VPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL3803VS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET