IRL3803VSTRRPBF

更新时间： 2024-11-19 13:08:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	369K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRL3803VSTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	140 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	470 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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