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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.45 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 100 A | 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL2203N-006 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL2203N-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL2203N-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL2203N-018PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRL2203N-030 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL2203NL | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRL2203NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
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| IRL2203NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL2203NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRL2203NS | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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