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IRL2203NS

更新时间： 2024-02-16 06:31:01

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HEXFETÂ® Power MOSFET

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IRL2203NS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	92 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL2203NS 数据手册

IRL2203NS/L

HEXFET^®Power MOSFET

^lAdvanced Process Technology

^lUltra Low On-Resistance

^lDynamic dv/dt Rating

^l175°C Operating Temperature

^lFast Switching

V_DSS= 30V

R_DS(on)= 7.0mΩ

^lFully Avalanche Rated

^l100% R_GTested

I_D= 116A

Description

Advanced HEXFET^®Power MOSFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that HEXFET power

MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of accommodating

diesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowest

possible on-resistance in any existing surface mount package. The D²Pak

issuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinternalconnection

resistanceandcandissipateupto2.0Winatypicalsurfacemountapplication.

Thethrough-holeversion(IRL2203NL)isavailableforlow-profileapplications.

D²Pak

IRL2203NS

TO-262

IRL2203NL

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

116

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T_C= 100°C

400

3.8

180

@T_A= 25°C

@T_C= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Avalanche Current

1.2

± 16

W/°C

I_AR

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.0

V/ns

-55 to + 175

°C

Storage Temperature Range

T_STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ

–––

Max

0.85

Units

Junction-to-Case

R_θ

°C/W

Junction-to-Ambient (PCB mount, steady state)

www.freescale.net.cn

1 / 10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL2203NS.IRL2203NL	ETC	获取价格	(161.16 k)
IRL2203NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL2203NSPBF_15	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRL2203NSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2203NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRL2203NSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2203NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2203S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=1
IRL2203SPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 92A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRL2203STRL	INFINEON	获取价格	暂无描述

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