IRL2203S

更新时间： 2024-01-20 22:14:40

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
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9页	174K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=100A)

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IRL2203S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	92 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL2203S 数据手册

PRELIMINARY

PD 9.1091A

IRL2203S

HEXFET^®Power MOSFET

^lLogic-Level Gate Drive

l Surface Mount

V_DSS= 30V

R_DS(on)= 0.007Ω

I_D= 100Aꢀ

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient

and reliable device for use in a wide variety of applications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D²Pak is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate

up to 2.0W in a typical surface mount application.

D²Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

100ꢀ

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

400

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

PowerDissipation

3.8

PowerDissipation

130

LinearDeratingFactor

0.83

± 20

390

W/°C

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-SourceVoltage

SinglePulseAvalancheEnergy

AvalancheCurrent

E_AR

dv/dt

T_J

RepetitiveAvalancheEnergy

PeakDiodeRecoverydv/dt

OperatingJunctionand

V/ns

1.2

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.2

Units

R_θJC

R_θJA

°C/W

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

–––

12 3 4 5 6 7...9

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IRL2203STRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL2203STRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL2203STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 92A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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