IRL2203NLPBF

更新时间： 2024-01-10 02:08:53

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
11页	227K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRL2203NLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	92 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL2203NLPBF 数据手册

PD - 95219

IRL2203NSPbF

IRL2203NLPbF

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS= 30V

l Fully Avalanche Rated

l 100% R_GTested

R_DS(on)= 7.0mΩ

l Lead-Free

I_D= 116A

Description

Advanced HEXFET^®Power MOSFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that HEXFET power

MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely

efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

The D²Pak is a surface mount power package capable of accommodating

diesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowest

possible on-resistance in any existing surface mount package. The D²Pak

issuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinternalconnection

resistanceandcandissipateupto2.0Winatypicalsurfacemountapplication.

Thethrough-holeversion(IRL2203NL)isavailableforlow-profileapplications.

D²Pak

IRL2203NS

TO-262

IRL2203NL

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max

116

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_C= 100°C

400

3.8

180

Pulsed Drain Current

@T_A= 25°C

@T_C= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

1.2

± 16

W/°C

Avalanche Current

I_AR

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

5.0

V/ns

Operating Junction and

-55 to + 175

°C

Storage Temperature Range

T_STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ

–––

Max

0.85

Units

Junction-to-Case

R_θJC

°C/W

Junction-to-Ambient (PCB mount, steady state)

R_θJA

www.irf.com

04/27/04

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IRL2203NLPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL2203NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL2203NS	FREESCALE	获取价格	HEXFETÂ® Power MOSFET
IRL2203NS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11
IRL2203NS.IRL2203NL	ETC	获取价格	(161.16 k)
IRL2203NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL2203NSPBF_15	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRL2203NSTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2203NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRL2203NSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL2203NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRL2203NLPBF相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

10
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRL2203NLPBF

IRL2203NLPBF 技术参数

IRL2203NLPBF 数据手册

与IRL2203NLPBF相关器件

与IRL2203NLPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRL2203NLPBF

IRL2203NLPBF 技术参数

IRL2203NLPBF 数据手册

与IRL2203NLPBF相关器件

与IRL2203NLPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？