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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.07 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 92 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRL2203N | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IRL2203N | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL2203NS | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRL2203NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
|
| IRL2203NS.IRL2203NL | ETC |
获取价格 |
(161.16 k) |
|
| IRL2203NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL2203NSPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRL2203NSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL2203NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
|
| IRL2203NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL2203NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRL2203S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=1 |
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