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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 130 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRL2203N-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRL2203NL | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRL2203NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
|
| IRL2203NLPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL2203NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRL2203NS | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
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| IRL2203NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
|
| IRL2203NS.IRL2203NL | ETC |
获取价格 |
(161.16 k) |
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| IRL2203NSPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRL2203NSPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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