是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.21 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 100 A |
最大漏源导通电阻: | 0.007 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 250 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 130 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRL2203N-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRL2203N-018PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRL2203N-030 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRL2203NL | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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IRL2203NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
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IRL2203NLPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRL2203NPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRL2203NS | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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IRL2203NS | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=11 |
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IRL2203NS.IRL2203NL | ETC |
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(161.16 k) |
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