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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNJ7230
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IRHNJ7230

更新时间： 2024-01-27 22:51:36
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 129K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

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IRHNJ7230 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：9.4 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：37 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHNJ7230 数据手册

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IRHNJ7230  
Pre-Irradiation  
Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
BV  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
200  
—
—
—
—
V
V
= 0V, I = 1.0mA  
D
DSS  
GS  
V/°C Reference to 25°C, I = 1.0mA  
∆BV  
/∆T Temperature Coefficient of Breakdown  
0.23  
DSS  
J
D
Voltage  
R
V
Static Drain-to-Source On-State  
Resistance  
—
—
—
—
—
—
—
—
0.40  
0.49  
4.0  
—
V
V
= 12V, I = 6.0A  
D
DS(on)  
GS  
Ã
Ω
V
= 12V, I = 9.4A  
GS  
D
Gate Threshold Voltage  
Forward Transconductance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
2.0  
2.5  
—
V
DS  
= V , I = 1.0mA  
GS(th)  
fs  
GS  
D
Ω
g
S ( )  
V
> 15V, I  
= 6.0A Ã  
DS  
V
DS  
I
25  
= 160V, V =0V  
DS GS  
DSS  
µA  
—
250  
V
= 160V,  
DS  
= 0V, T = 125°C  
V
GS  
J
I
I
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Total Gate Charge  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0  
100  
-100  
50  
V
= 20V  
GSS  
GSS  
GS  
nA  
nC  
V
GS  
= -20V  
Q
Q
Q
V
= 12V, I = 9.4A  
GS D  
g
gs  
gd  
d(on)  
r
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain (‘Miller’) Charge  
Turn-On Delay Time  
10  
V
DS  
= 100V  
25  
35  
t
t
t
t
V
DD  
= 100V, I = 9.4A,  
D
Rise Time  
75  
R
= 7.5Ω  
= 12V  
G
ns  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
70  
V
GS  
d(off)  
f
60  
L
+ L  
Total Inductance  
—
S
D
nH  
Measured from the center of  
drain pad to center of source pad  
C
C
C
Input Capacitance  
—
—
—
1200  
250  
63  
—
—
—
V
= 0V, V  
= 25V  
f = 1.0MHz  
iss  
GS DS  
Output Capacitance  
pF  
oss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
I
I
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulse Source Current (Body Diode) À  
Diode Forward Voltage  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9.4  
37  
S
A
SM  
V
1.4  
460  
2.4  
V
T = 25°C, I = 9.4A, V  
= 0V Ã  
j
SD  
S
GS  
t
Q
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
ns  
µC  
T = 25°C, I = 9.4A, di/dt ≤ 100A/µs  
j
rr  
RR  
F
V
≤ 25V Ã  
DD  
t
on  
Forward Turn-On Time  
Intrinsic turn-on time is negligible. Turn-on speed is substantially controlled by L + L .  
S D  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min Typ Max Units  
Test Conditions  
°C/W  
R
Junction-to-Case  
—
—
1.67  
thJC  
Note: Corresponding Spice and Saber models are available on International Rectifier Website.  
For footnotes refer to the last page  
2
www.irf.com  
12345678

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