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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ30-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-011PBF | INFINEON |
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| IRFZ30-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30PBF | INFINEON |
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HEXFET® TRANSISTORS |
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| IRFZ32 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 50V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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