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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ30-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ30PBF | INFINEON |
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HEXFET® TRANSISTORS |
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| IRFZ32 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 50V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRFZ32-001 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ32-002PBF | INFINEON |
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25A, 50V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRFZ32-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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