5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ32-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ32-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ32-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ32-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFZ32-012 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ32-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ32-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ32-013PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ34 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A) |
|
| IRFZ34 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
