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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFR9120TRL
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IRFR9120TRL

更新时间： 2024-09-13 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 1890K
描述
Power MOSFET

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IRFR9120TRL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.08Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.6 A最大漏极电流 (ID)：5.6 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFR9120TRL 数据手册

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IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
RDS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.60  
RoHS*  
• Surface Mount (IRFR9120/SiHFR9120)  
• Straight Lead (IRFU9120/SiHFU9120)  
• Available in Tape and Reel  
• P-Channel  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
18  
3.0  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
9.0  
Configuration  
Single  
• Fast Switching  
S
• Lead (Pb)-free Available  
DESCRIPTION  
DPAK  
(TO-252)  
IPAK  
(TO-251)  
G
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effictiveness.  
The DPAK is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole  
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W  
are possible in typical surcace mount applications.  
D
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
DPAK (TO-252)  
DPAK (TO-252)  
IRFR9120TRLPbFa  
SiHFR9120TL-E3a  
IRFR9120TRLa  
SiHFR9120TLa  
IPAK (TO-251)  
IRFU9120PbF  
IRFR9120PbF  
SiHFR9120-E3  
IRFR9120  
IRFR9120TRPbFa  
SiHFR9120T-E3a  
IRFR9120TRa  
Lead (Pb)-free  
SiHFU9120-E3  
IRFU9120PbF  
SnPb  
SiHFR9120  
SiHFR9120Ta  
SiHFU9120  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 100  
20  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
- 5.6  
- 3.6  
- 22  
0.33  
0.020  
210  
- 5.6  
4.2  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
T
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
EAS  
IAR  
mJ  
A
EAR  
mJ  
T
C = 25 °C  
42  
PD  
W
TA = 25 °C  
2.5  
dV/dt  
- 5.5  
V/ns  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91280  
S-Pending-Rev. A, 17-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFR9120TRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFR9120TRPBF VISHAY

完全替代

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IRFR9120TRLPBF VISHAY

完全替代

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IRFR9120TRRPBF VISHAY

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252

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