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IRFR9110TRLPBF

更新时间： 2024-11-06 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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8页	1376K
描述
Power MOSFET

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IRFR9110TRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFR9110TRLPBF 数据手册

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.2

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9110/SiHFR9110)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

8.7

• Straight Lead (IRFU9110/SiHFU9110)

_gs(nC)

_gd(nC)

2.2

• Available in Tape and Reel

4.1

• P-Channel

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU Series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9110TRPbF^a

SiHFR9110T-E3^a

IRFR9110TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9110PbF

SiHFU9110-E3

IRFU9110

IRFR9110PbF

SiHFR9110-E3

IRFR9110

IRFR9110TRLPbF^a

SiHFR9110TL-E3^a

IRFR9110TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9110

SiHFR9110TL^a

SiHFR9110T^a

SiHFU9110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 100

V_GS

_C= 25 °C

- 3.1

- 2.0

- 12

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

0.020

140

E_AS

I_AR

- 3.1

2.5

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 5.5

- 55 to + 150

260^d

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 21 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 4.0 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91279

S-81392-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR9110TRLPbFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9110TRPBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9110TRPbFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9110TRR	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9110TRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFR9110TRRPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRFR9111	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 3.2A I(D) \| TO-252
IRFR9120	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
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