IRFR9120N

更新时间： 2024-11-05 22:32:07

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲局域网
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10页	119K
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A)

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IRFR9120N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	6.6 A
最大漏源导通电阻：	0.48 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	26 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR9120N 数据手册

PD - 9.1507A

IRFR/U9120N

PRELIMINARY

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low On-Resistance

l P-Channel

l Surface Mount (IRFR9120N)

l Straight Lead (IRFU9120N)

l Advanced Process Technology

l Fast Switching

V_DSS= -100V

R_DS(on)= 0.48Ω

I_D= -6.6A

l Fully Avalanche Rated

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient

and reliable device for use in a wide variety of applications.

D -Pak

I-Pak

TO -252AA

TO -251AA

The D-Pak is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, orwavesolderingtechniques. Thestraight

lead version (IRFU series) is for through-hole mounting

applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are

possible in typical surface mount applications.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-6.6

-4.2

-26

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.32

± 20

100

-6.6

4.0

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

-5.0

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

3.1

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB mount)**

Junction-to-Ambient

°C/W

110

3/16/98

12 3 4 5 6 7...10

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与IRFR9120N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR9120NPBF	KERSEMI	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFR9120NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on)
IRFR9120NTR	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-100V;持续漏极电流（Id）（在25°
IRFR9120NTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR9120NTRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFR9120NTRR	KERSEMI	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR9120NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR9120PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9120PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9120PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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