IRFR9120NTRPBF

更新时间： 2024-10-30 12:33:55

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFR9120NTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.6 A	最大漏极电流 (ID)：	6.6 A
最大漏源导通电阻：	0.48 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	26 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

12 3 4

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFR9120NTRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR9120NPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on)

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFR9120NTRR	KERSEMI	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFR9120NTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFR9120PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9120PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9120PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9120T_R4941	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
IRFR9120TF	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
IRFR9120TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9120TR	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
IRFR9120TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met