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IRFI830-013

更新时间: 2024-12-02 06:17:31
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描述
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFI830-013 数据手册

  

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IRFI840-001 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me