5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.9 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 640 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI840B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| IRFI840G | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.6A) |
|
| IRFI840G | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFI840GLC | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=4.5A) |
|
| IRFI840GLC | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFI840GLCPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFI840GLCPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFI840GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFI840GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFI9520G | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
