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| IRFI9520G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRFI9520G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9520G-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9520G-010 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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