5秒后页面跳转
IRFI9520G-030 PDF预览

IRFI9520G-030

更新时间: 2023-01-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRFI9520G-030 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.11外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):5.2 A最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:37 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFI9520G-030 数据手册

  

与IRFI9520G-030相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI9520G-030PBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9520G-030PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9520GPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFI9520GPBF INFINEON

获取价格

HEXFET Power MOSFET
IRFI9520N ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB
IRFI9530G INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-7.7A)
IRFI9530G VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFI9530G-002 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9530G-002PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9530G-003 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met