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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9520N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB |
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| IRFI9530G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-7.7A) |
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| IRFI9530G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9530G-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9530G-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9530G-003PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFI9530G-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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