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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.61 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9530G-024 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-024 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-024PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-029 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-029PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-030 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-030PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530G-031PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9530GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI9530GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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