是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SFM | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.63 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 430 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.117 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 42 W | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFI9540N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFI9610G | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRFI9610G | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFI9610GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFI9610GPBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRFI9620G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.0A) | |
IRFI9620G | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFI9620G-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFI9620G-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
IRFI9620G-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |