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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9620G-013PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFI9620G-015 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-015PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRFI9620G-017 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-017 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-017PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-017PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-018PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-019 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFI9620G-024 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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